BEGIN:VCALENDAR VERSION:2.0 PRODID:-//linuxsoftware.nz//NONSGML Joyous v1.4//EN BEGIN:VEVENT SUMMARY:Defect and strain profiles caused by ion implantation in GaN DTSTART:20220621T150000Z DTEND:20220621T170000Z DTSTAMP:20260928T103629Z UID:92dc8a81-c5bc-4c23-ab10-425214f9ffd2 SEQUENCE:1 CREATED:20220620T083108Z DESCRIPTION: ResumoO Nitreto de Gálio (GaN) é um semicondutor de hiato largo\, com alta mobilidade eletrónica e alto campo de disrupção. Estas características permitem a operação em regimes de alta tensão\, tempe ratura e frequência\, tornando o GaN muito desejado na área da eletróni ca de potência. A manipulação de algumas das suas características pode ser obtida através de implantação iónica. Apesar das suas vantagens\, esta técnica implica a criação de defeitos e tensão no material\, pre judicando o seu funcionamento e eficiência. Implantação iónica com eur ópio (Eu) e silício (Si) foi feita em amostras de GaN\, com o objetivo d e estudar os efeitos da mesma. A evolução de danos e de tensão com a fl uência foram estudados usando Retrodispersão de Rutherford em modo de Ca nalização\, e Difração de Raios-X\, respetivamente. Métodos analític os e computacionais foram usados para extrair os perfis de defeitos e tens ão com a profundidade. Medidas de stress in-situ foram feitas nas amostra s implantadas com Si de modo a estudar a evolução do stress.Os perfis de defeitos obtidos são concordantes entre diferentes técnicas\, e consist entes com os perfis de tensão\, para ambas implantações. A evolução d os perfis com a fluência de implantação sugere transformações de defe itos\, nomeadamente de defeitos pontuais para estruturas de defeitos mais complexas. Estes processos estão associados à relaxação do stress e da tensão\, observados tanto nos perfis de tensão como nos resultados do s tress. Modelos quantitativos e qualitativos para a evolução de danos e s tress no material são propostos\, com base nos resultados obtidos experim entalmente. LAST-MODIFIED:20220620T083108Z LOCATION:Sala QA1.1 - Pavilhão de Química URL:http://df.vps.tecnico.ulisboa.pt/pt/eventos/defect-and-strain-profiles -caused-by-ion-implantation-in-gan/ X-ALT-DESC;FMTTYPE=text/html:

Resumo

O Nitreto de Gálio (GaN) é um semicondutor de hiato largo\, com alta mobilidade eletrónica e alto campo de disrupção. Estas características permitem a operação em regimes de alta tensão\, temperatura e frequência\, tornando o GaN m uito desejado na área da eletrónica de potência. A manipulação de alg umas das suas características pode ser obtida através de implantação i ónica. Apesar das suas vantagens\, esta técnica implica a criação de d efeitos e tensão no material\, prejudicando o seu funcionamento e eficiê ncia.

Implantação iónica com európio (Eu ) e silício (Si) foi feita em amostras de GaN\, com o objetivo de estudar os efeitos da mesma. A evolução de danos e de tensão com a fluência f oram estudados usando Retrodispersão de Rutherford em modo de Canalizaç ão\, e Difração de Raios-X\, respetivamente. Métodos analíticos e com putacionais foram usados para extrair os perfis de defeitos e tensão com a profundidade. Medidas de stress in-situ foram feitas nas amostras implantadas com Si de modo a estudar a evolução do stress.

Os perfis de defeitos obtidos são concordantes entre dife rentes técnicas\, e consistentes com os perfis de tensão\, para ambas im plantações. A evolução dos perfis com a fluência de implantação sug ere transformações de defeitos\, nomeadamente de defeitos pontuais para estruturas de defeitos mais complexas. Estes processos estão associados à relaxação do stress e da tensão\, observados tanto nos perfis de ten são como nos resultados do stress. Modelos quantitativos e qualitativos p ara a evolução de danos e stress no material são propostos\, com base n os resultados obtidos experimentalmente.

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