BEGIN:VCALENDAR
VERSION:2.0
PRODID:-//linuxsoftware.nz//NONSGML Joyous v1.4//EN
BEGIN:VEVENT
SUMMARY:Engineering MnNi bilayers for optimal MTJ sensors temperature resi
 lience
DTSTART:20231207T160000Z
DTEND:20231207T180000Z
DTSTAMP:20260810T164259Z
UID:c70c0246-99d4-4b7a-967f-df3632ceb781
SEQUENCE:1
CREATED:20231206T091511Z
DESCRIPTION:As aplicações para sensores magnetoresistivos\, como junçõ
 es de efeito túnel (JET)\, têm crescido constantemente\, com necessidade
  de maior resiliência térmica e maior alcance de condições para aplica
 ções na faixa de pico a militesla. O presente trabalho mostrou MnNi ser 
 um candidato viável para um AFM em bicamadas exchange coupled de sensores
  JET\, com a tecnologia IBAD superando os resultados da IBD\, maximizando 
 o campo de exchange bias e a temperatura de blocking.O trabalho realizado 
 no INESC MN permitiu a deposição\, medição e fabricação de sensores 
 JET. Estudos de espessura de bicamada foram realizados\, com melhores resu
 ltados alcançados para camadas espessas de MnNi (&gt\;40nm)\, e IBAD perm
 itiu uma melhoria de 160Oe para 1046Oe de exchange bias. Estudos de temper
 atura de annealing mostraram melhores condições para 2h a 300°C. A aná
 lise de AFM e XRD mostrou que IBAD reduz a rugosidade superficial do AFM\,
  facilitando o correto crescimento cristalino das camadas superiores\, com
  uma diminuição simultânea de 16\\% no tamanho do grão. Tb de 300°C~3
 10°C foi encontrado para bicamadas MnNi-IBAD\, e Tb de 424°C para IBD. F
 enómenos incomuns como um aumento inicial em Hex com a temperatura e uma 
 diminuição acentuada de Hex perto de Tb foram observados.Sensores JET mi
 crofabricados foram caracterizados com equipamentos VSM e R(H). Uma diminu
 ição efetiva do exchange bias foi observada para amostras IBAD\, e em am
 bas as amostras nenhuma anisotropia de forma cruzada foi alcançada\, com 
 a camada de referência não definida. Foi observado um deslocamento da cu
 rva R(H)\, sensores funcionais foram mapeados e valores baixos de MR de 0.
 76% foram alcançados\, com melhores resultados para pilares retangulares 
 do que elípticos.
LAST-MODIFIED:20231206T091511Z
LOCATION:Online
URL:http://df.vps.tecnico.ulisboa.pt/pt/eventos/engineering-mnni-bilayers-
 for-optimal-mtj-sensors-temperature-resilience/
X-ALT-DESC;FMTTYPE=text/html:<p data-block-key="yqrdj">As aplicações par
 a sensores magnetoresistivos\, como junções de efeito túnel (JET)\, tê
 m crescido constantemente\, com necessidade de maior resiliência térmica
  e maior alcance de condições para aplicações na faixa de pico a milit
 esla. O presente trabalho mostrou MnNi ser um candidato viável para um AF
 M em bicamadas exchange coupled de sensores JET\, com a tecnologia IBAD su
 perando os resultados da IBD\, maximizando o campo de exchange bias e a te
 mperatura de blocking.<br/><br/></p><p data-block-key="9satc">O trabalho r
 ealizado no INESC MN permitiu a deposição\, medição e fabricação de 
 sensores JET. Estudos de espessura de bicamada foram realizados\, com melh
 ores resultados alcançados para camadas espessas de MnNi (&gt\;40nm)\, e 
 IBAD permitiu uma melhoria de 160Oe para 1046Oe de exchange bias. Estudos 
 de temperatura de annealing mostraram melhores condições para 2h a 300°
 C. A análise de AFM e XRD mostrou que IBAD reduz a rugosidade superficial
  do AFM\, facilitando o correto crescimento cristalino das camadas superio
 res\, com uma diminuição simultânea de 16\\% no tamanho do grão. Tb de
  300°C~310°C foi encontrado para bicamadas MnNi-IBAD\, e Tb de 424°C pa
 ra IBD. Fenómenos incomuns como um aumento inicial em Hex com a temperatu
 ra e uma diminuição acentuada de Hex perto de Tb foram observados.<br/><
 br/></p><p data-block-key="8n6cq">Sensores JET microfabricados foram carac
 terizados com equipamentos VSM e R(H). Uma diminuição efetiva do exchang
 e bias foi observada para amostras IBAD\, e em ambas as amostras nenhuma a
 nisotropia de forma cruzada foi alcançada\, com a camada de referência n
 ão definida. Foi observado um deslocamento da curva R(H)\, sensores funci
 onais foram mapeados e valores baixos de MR de 0.76% foram alcançados\, c
 om melhores resultados para pilares retangulares do que elípticos.</p>
END:VEVENT
END:VCALENDAR
