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SUMMARY:Ga2O3 membrane nanodevices
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DESCRIPTION:Neste trabalho\, tubos de β-Ga2O3\, exfoliados a partir de um
  cristal em orientação (100) com uma nova técnica de exfoliação assis
 tida por feixe de iões\, foram usados para criar dispositivos para testar
  como fotodetetores e transístores de efeito de campo (FET). Primeirament
 e\, o processo de fabricação dos dispositivos foi otimizado. Este inclui
  a transferência de tubos para um novo substrato\, um passo de recoziment
 o no qual estes se desenrolam em membranas\, a colocação de máscaras de
  sombra e a deposição de contactos elétricos. Os contactos seriam tamb
 ém otimizados e\, para contactos de Ti/Au\, foi encontrada uma temperatur
 a ótima para a obtenção de contactos óhmicos por volta dos 500 °C\, p
 ara recozimentos em atmosfera de N2\, em concordância com a literatura. O
 s dispositivos testados como fotodetetores provaram não ser insensíveis 
 ao espetro solar (solar blind)\, mas mostraram respostas distintas nos cas
 os em que os contactos são iluminados diretamente ou em que apenas a memb
 rana recebe luz direta. Foram efetuadas medidas transientes\, com tempos d
 e resposta da ordem de 1 s medidos para a luz de uma lâmpada de deutério
 . O dispositivo testado como FET encontrava-se em modo de depleção\, com
  uma tensão de limiar de -23\,2 V e um rácio on/off de 8600 para uma ten
 são de -10 V entre dreno e fonte. Como interruptor\, o FET mostrou um tem
 po de resposta substancialmente mais baixo do que o tempo entre medidas\, 
 sendo este cerca de 1 s\, bem como uma excelente estabilidade após 500 re
 petições.
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X-ALT-DESC;FMTTYPE=text/html:<p data-block-key="7ucu4">Neste trabalho\, tu
 bos de β-Ga2O3\, exfoliados a partir de um cristal em orientação (100) 
 com uma nova técnica de exfoliação assistida por feixe de iões\, foram
  usados para criar dispositivos para testar como fotodetetores e transíst
 ores de efeito de campo (FET). Primeiramente\, o processo de fabricação 
 dos dispositivos foi otimizado. <br/><br/>Este inclui a transferência de 
 tubos para um novo substrato\, um passo de recozimento no qual estes se de
 senrolam em membranas\, a colocação de máscaras de sombra e a deposiç
 ão de contactos elétricos. Os contactos seriam também otimizados e\, pa
 ra contactos de Ti/Au\, foi encontrada uma temperatura ótima para a obten
 ção de contactos óhmicos por volta dos 500 °C\, para recozimentos em a
 tmosfera de N2\, em concordância com a literatura. <br/><br/>Os dispositi
 vos testados como fotodetetores provaram não ser insensíveis ao espetro 
 solar (<i>solar blind</i>)\, mas mostraram respostas distintas nos casos e
 m que os contactos são iluminados diretamente ou em que apenas a membrana
  recebe luz direta. Foram efetuadas medidas transientes\, com tempos de re
 sposta da ordem de 1 s medidos para a luz de uma lâmpada de deutério. <b
 r/><br/>O dispositivo testado como FET encontrava-se em modo de depleção
 \, com uma tensão de limiar de -23\,2 V e um rácio <i>on/off</i> de 8600
  para uma tensão de -10 V entre dreno e fonte. Como interruptor\, o FET m
 ostrou um tempo de resposta substancialmente mais baixo do que o tempo ent
 re medidas\, sendo este cerca de 1 s\, bem como uma excelente estabilidade
  após 500 repetições.</p>
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