BEGIN:VCALENDAR VERSION:2.0 PRODID:-//linuxsoftware.nz//NONSGML Joyous v1.4//EN BEGIN:VEVENT SUMMARY:Novel thin-film silicon photodetectors for biosensing DTSTART:20231204T100000Z DTEND:20231204T120000Z DTSTAMP:20260911T234659Z UID:707bd1da-4306-42e7-9d88-e225ec1ec0d2 SEQUENCE:1 CREATED:20231130T093355Z DESCRIPTION:Biossensores são dispositivos capazes de identificar ocorrên cias biológicas numa amostra\, convertendo um sinal resultante num sinal elétrico que pode ser quantificado. Em particular\, os fotodetetores de s ilício amorfo hidrogenado (a-Si:H) são pertinentes para integração num a plataforma lab-on-a-chip projetada para deteção optoelectrónica. Este trabalho teve como foco o desenvolvimento de um novo fotodetector de a-Si :H com base numa junção p-i-n lateral\, para aplicações posteriores de biodeteção. Esta estrutura contrasta com o fotodíodo padrão\, que é composto por uma junção p-i-n perpendicular. A microfabricação do disp ositivo foi realizada em ambiente de sala limpa e foi alcançado um proces so otimizado após duas gerações de dispositivos. O novo dispositivo foi caracterizado quanto às suas principais características: fotocorrente e corrente negra-tensão\, com menção dos mecanismos de condução no esc uro\; eficiência quântica externa em função do comprimento de onda inc idente\; e fotocorrente em funcão do fluxo de fotões. Foi observada reti ficação nestes dispositivos\, apesar de tenderem para a atuação como u m fotodíodo sob polarização reversa e como um detetor fotocondutor sob polarização direta. LAST-MODIFIED:20231130T093355Z LOCATION:Online URL:http://df.vps.tecnico.ulisboa.pt/pt/eventos/novel-thin-film-silicon-ph otodetectors-for-biosensing/ X-ALT-DESC;FMTTYPE=text/html:

Biossensores são d ispositivos capazes de identificar ocorrências biológicas numa amostra\, convertendo um sinal resultante num sinal elétrico que pode ser quantifi cado. Em particular\, os fotodetetores de silício amorfo hidrogenado (a-S i:H) são pertinentes para integração numa plataforma lab-on-a-chip proj etada para deteção optoelectrónica.

Este trabalho teve como f oco o desenvolvimento de um novo fotodetector de a-Si:H com base numa jun ção p-i-n lateral\, para aplicações posteriores de biodeteção. Esta estrutura contrasta com o fotodíodo padrão\, que é composto por uma jun ção p-i-n perpendicular. A microfabricação do dispositivo foi realizad a em ambiente de sala limpa e foi alcançado um processo otimizado após d uas gerações de dispositivos.

O novo dispositivo foi caracteri zado quanto às suas principais características: fotocorrente e corrente negra-tensão\, com menção dos mecanismos de condução no escuro\; efic iência quântica externa em função do comprimento de onda incidente\; e fotocorrente em funcão do fluxo de fotões. Foi observada retificação nestes dispositivos\, apesar de tenderem para a atuação como um fotodío do sob polarização reversa e como um detetor fotocondutor sob polarizaç ão direta.

END:VEVENT END:VCALENDAR