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SUMMARY:Optimizing Gallium Oxide Thin Films for Electro-Optical Applicatio
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DESCRIPTION:Óxido de gálio é um semicondutor de hiato largo que tem dem
 onstrado grande potencial nos últimos anos devido às suas propriedades o
 pto-eletrónicas distintivas. Em particular\, o seu elevado campo elétric
 o de rutura\, bem como a possibilidade de modificar o seu índice de refra
 ção e hiato energético tem tornado este material um candidato promissor
  para uma ampla gama de aplicações\, como fotodetetores no UV profundo\,
  guias de onda óticos com baixas perdas ou até mesmo células solares tr
 ansparentes. Entre possíveis técnicas de deposição\, a pulverização 
 catódica por radiofrequência destaca-se pela sua capacidade de produzir 
 filmes finos com alta qualidade e a baixo custo.Neste trabalho\, foi opera
 cionalizada a câmara de deposição SentiFET\, e desenhado e construído 
 um forno para permitir a deposição a altas temperaturas. Posteriormente\
 , um estudo exaustivo foi realizado sobre a influência de diferentes par
 âmetros\, tais como a pressão e a potência de deposição\, a temperatu
 ra e duração do recozimento pós-crescimento e o substrato utilizado\, n
 as propriedades óticas e elétricas dos filmes finos de Ga2O3 depositados
  por pulverização catódica por radiofrequência. Estas amostras foram c
 aracterizadas através de técnicas complementares como profilometria\, el
 ipsometria\, transmissão ótica\, espectroscopia de retrodispersão de Ru
 therford\, difração de raios-X\, microscopia de força atómica e espetr
 oscopia de Raman\, de forma a determinar as suas propriedades óticas e es
 truturais\, composição e rugosidade da superfície. De forma a otimizar 
 ainda mais as propriedades óticas e elétricas dos filmes\, foi também a
 valiado o efeito da dopagem através da implantação iónica com estanho 
 (Sn).Finalmente\, foram fabricados fotodetetores interdigitados planares b
 aseados nestes filmes\, através de fotolitografia\, que foram avaliados e
 m termos da sua responsividade ótica.
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LOCATION:Sala de Seminários do DF\,  Pavilhão de Física\, 2º piso
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 ey="9esi5">Óxido de gálio é um semicondutor de hiato largo que tem demo
 nstrado grande potencial nos últimos anos devido às suas propriedades op
 to-eletrónicas distintivas. Em particular\, o seu elevado campo elétrico
  de rutura\, bem como a possibilidade de modificar o seu índice de refra
 ção e hiato energético tem tornado este material um candidato promissor
  para uma ampla gama de aplicações\, como fotodetetores no UV profundo\,
  guias de onda óticos com baixas perdas ou até mesmo células solares tr
 ansparentes. Entre possíveis técnicas de deposição\, a pulverização 
 catódica por radiofrequência destaca-se pela sua capacidade de produzir 
 filmes finos com alta qualidade e a baixo custo.<br/><br/></p><p data-bloc
 k-key="9sp74">Neste trabalho\, foi operacionalizada a câmara de deposiç
 ão SentiFET\, e desenhado e construído um forno para permitir a deposiç
 ão a altas temperaturas. Posteriormente\, um estudo exaustivo foi realiza
 do sobre a influência de diferentes parâmetros\, tais como a pressão e 
 a potência de deposição\, a temperatura e duração do recozimento pós
 -crescimento e o substrato utilizado\, nas propriedades óticas e elétric
 as dos filmes finos de Ga2O3 depositados por pulverização catódica por 
 radiofrequência.<br/><br/> Estas amostras foram caracterizadas através d
 e técnicas complementares como profilometria\, elipsometria\, transmissã
 o ótica\, espectroscopia de retrodispersão de Rutherford\, difração de
  raios-X\, microscopia de força atómica e espetroscopia de Raman\, de fo
 rma a determinar as suas propriedades óticas e estruturais\, composição
  e rugosidade da superfície. De forma a otimizar ainda mais as propriedad
 es óticas e elétricas dos filmes\, foi também avaliado o efeito da dopa
 gem através da implantação iónica com estanho (Sn).<br/><br/></p><p da
 ta-block-key="d1ktt">Finalmente\, foram fabricados fotodetetores interdigi
 tados planares baseados nestes filmes\, através de fotolitografia\, que f
 oram avaliados em termos da sua responsividade ótica.</p>
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