BEGIN:VCALENDAR VERSION:2.0 PRODID:-//linuxsoftware.nz//NONSGML Joyous v1.4//EN BEGIN:VEVENT SUMMARY:Proton Irradiation effects in h-BN nanomembranes DTSTART:20221206T160000Z DTEND:20221206T180000Z DTSTAMP:20260914T003443Z UID:32ad5669-5fb7-476c-9e7f-1dcbf7af8ea6 SEQUENCE:2 CREATED:20221205T101932Z DESCRIPTION:Resumo:O h-BN é um semicondutor de hiato largo emergente. A s ua excelente condutividade térmica\, resistência mecânica e resistênci a à oxidação\, aliadas à sua estrutura em camadas semelhante à da gra fite tornam-no num material promissor para aplicações em nanoeletrónica bidimensional. Foram ainda descobertos emissores de fotões únicos entre os defeitos do h-BN\, os quais são essenciais para diversas aplicações em comunicações quânticas.O objetivo desta tese é estudar o efeito da irradiação por protões em membranas exfoliadas de h-BN. São usadas di versas técnicas experimentais para avaliar as propriedades óticas e estr uturais dos flocos e para determinar a sua resistência às irradiações. Os espectros de luminescência induzida por feixe de iões são dominados por uma banda larga na região UV\, que também é observada por cátodo-l uminescência\, que é atribuída a impurezas de carbono. Foi observada a extinção desta banda com a fluência da irradiação. Esta emissão tem origem principalmente na superfície dos flocos\, e não foi restaurada pe los recozimentos. Não foram encontrados novos níveis capturadores de ele trões por termoluminescência após as irradiações\, e verificou-se tam bém uma redução da luminescência emitida. As medidas de espectroscopia Raman sugerem que ocorre conversão do h-BN para a fase cúbica do BN par a maiores concentrações de defeitos implantados. Nas medidas de difraç ão de raios-X de alta resolução observou-se a formação de tensões na lgumas amostras irradiadas\, onde o parâmetro de rede c aumentou. Estas t ensões foram significativamente reduzidas pelos recozimentos. LAST-MODIFIED:20221205T101956Z LOCATION:Sala E2\, Torre Norte\, Piso -1 - Campus da Alameda URL:http://df.vps.tecnico.ulisboa.pt/pt/eventos/proton-irradiation-effects -in-h-bn-nanomembranes/ X-ALT-DESC;FMTTYPE=text/html:

Resumo:

< p data-block-key="5p89g">O h-BN é um semicondutor de hiato largo e mergente. A sua excelente condutividade térmica\, resistência mecânica e resistência à oxidação\, aliadas à sua estrutura em camadas semelha nte à da grafite tornam-no num material promissor para aplicações em na noeletrónica bidimensional.

Foram ainda descobertos emissores d e fotões únicos entre os defeitos do h-BN\, os quais são essenci ais para diversas aplicações em comunicações quânticas.O objetivo des ta tese é estudar o efeito da irradiação por protões em membranas exfo liadas de h-BN. São usadas diversas técnicas experimentais para a valiar as propriedades óticas e estruturais dos flocos e para determinar a sua resistência às irradiações.

Os espectros de luminescên cia induzida por feixe de iões são dominados por uma banda larga na regi ão UV\, que também é observada por cátodo-luminescência\, que é atri buída a impurezas de carbono. Foi observada a extinção desta banda com a fluência da irradiação. Esta emissão tem origem principalmente na su perfície dos flocos\, e não foi restaurada pelos recozimentos. Não fora m encontrados novos níveis capturadores de eletrões por termoluminescên cia após as irradiações\, e verificou-se também uma redução da lumin escência emitida.

As medidas de espectroscopia Raman sugerem qu e ocorre conversão do h-BN para a fase cúbica do BN para maiores concentrações de defeitos implantados. Nas medidas de difração de raio s-X de alta resolução observou-se a formação de tensões nalgumas amos tras irradiadas\, onde o parâmetro de rede c aumentou. Estas tens ões foram significativamente reduzidas pelos recozimentos.

END:VEVENT END:VCALENDAR